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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.4
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
47
左右 -21% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
39
读取速度,GB/s
10.4
7.7
写入速度,GB/s
7.8
6.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
1768
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
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DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
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