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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
78
左右 40% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.1
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
78
读取速度,GB/s
10.4
12.1
写入速度,GB/s
7.8
10.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2113
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
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