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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
47
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
30
读取速度,GB/s
10.4
18.0
写入速度,GB/s
7.8
14.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3466
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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