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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.1
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
10.4
13.1
写入速度,GB/s
7.8
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2608
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Lenovo 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
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