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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
10.4
16.5
写入速度,GB/s
7.8
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3217
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
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