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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
64
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
64
读取速度,GB/s
10.4
16.8
写入速度,GB/s
7.8
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2052
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
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