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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
10.4
14.0
写入速度,GB/s
7.8
8.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2163
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
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