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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
47
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
37
读取速度,GB/s
10.4
15.4
写入速度,GB/s
7.8
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2321
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
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