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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
10.4
16.4
写入速度,GB/s
7.8
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2575
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
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