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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
比较
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
总分
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
总分
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
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需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
55
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
55
33
读取速度,GB/s
9.4
15.3
写入速度,GB/s
7.8
11.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2424
2697
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
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