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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
44
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
44
读取速度,GB/s
8.0
14.2
写入速度,GB/s
7.3
13.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3145
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
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Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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