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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
8.0
15.4
写入速度,GB/s
7.3
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3088
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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