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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
63
左右 -70% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
37
读取速度,GB/s
3,231.0
15.4
写入速度,GB/s
1,447.3
12.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3088
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
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