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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
8.0
16.5
写入速度,GB/s
7.3
14.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3459
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
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