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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
35
读取速度,GB/s
8.0
13.7
写入速度,GB/s
7.3
9.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2636
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
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