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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
8.0
15.8
写入速度,GB/s
7.3
11.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2967
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
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Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
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Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
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