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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 59% 更低的延时
需要考虑的原因
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
73
读取速度,GB/s
10.6
15.1
写入速度,GB/s
6.8
7.9
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
1724
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
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