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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
73
En 59% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
73
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
1724
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
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