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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.4
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
36
读取速度,GB/s
8.0
19.4
写入速度,GB/s
7.3
15.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3526
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
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