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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
65
左右 49% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
65
读取速度,GB/s
8.0
16.1
写入速度,GB/s
7.3
8.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
1836
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
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