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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
27
读取速度,GB/s
8.0
17.8
写入速度,GB/s
7.3
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3299
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
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