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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
5,987.5
15.7
写入速度,GB/s
2,160.7
13.2
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3247
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
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