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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
8.0
15.5
写入速度,GB/s
7.3
9.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2612
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
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