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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
33
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
21
读取速度,GB/s
8.0
19.1
写入速度,GB/s
7.3
14.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3427
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
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Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
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