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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
78
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
78
读取速度,GB/s
4,387.7
13.7
写入速度,GB/s
1,813.5
8.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
1895
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
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