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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
42
左右 -163% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.7
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
16
读取速度,GB/s
10.6
21.7
写入速度,GB/s
9.0
17.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3872
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
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