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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
8.0
14.2
写入速度,GB/s
7.3
10.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2527
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
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