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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
34
读取速度,GB/s
8.0
15.8
写入速度,GB/s
7.3
12.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2830
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
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