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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
8.0
17.7
写入速度,GB/s
7.3
16.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3961
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
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Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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