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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
66
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8
7.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
66
读取速度,GB/s
8.0
7.9
写入速度,GB/s
7.3
7.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
1862
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
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SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
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Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
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