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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
8.0
15.3
写入速度,GB/s
7.3
12.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2973
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-062.A00G 32GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
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