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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.4
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
28
读取速度,GB/s
4,241.0
18.7
写入速度,GB/s
1,950.7
15.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3705
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
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Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
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