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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
50
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.2
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
50
读取速度,GB/s
8.0
10.2
写入速度,GB/s
7.3
7.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2064
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
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