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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
33
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
24
读取速度,GB/s
8.0
14.7
写入速度,GB/s
7.3
8.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2434
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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