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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
63
左右 -215% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
20
读取速度,GB/s
8.1
21.0
写入速度,GB/s
7.5
17.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3619
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
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