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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
总分
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
46
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
34
读取速度,GB/s
11.6
12.7
写入速度,GB/s
8.0
8.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1854
1718
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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