Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB

总分
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

总分
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Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 16.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,404.5 left arrow 11.1
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    31 left arrow 104
    左右 -235% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    104 left arrow 31
  • 读取速度,GB/s
    3,192.0 left arrow 16.9
  • 写入速度,GB/s
    2,404.5 left arrow 11.1
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    786 left arrow 3132
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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