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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
差异
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
63
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
30
读取速度,GB/s
8.1
17.7
写入速度,GB/s
7.5
15.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3550
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
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