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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
10.7
17.4
写入速度,GB/s
6.8
13.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
3398
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KY7N41-MID 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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