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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
44
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
39
读取速度,GB/s
11.2
15.3
写入速度,GB/s
8.1
12.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2760
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9965525-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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