RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 44
    周辺 -13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 11.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    11.2 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2293 left arrow 2760

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAMの比較

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
メモリRAM