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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
63
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.4
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
36
读取速度,GB/s
8.1
10.4
写入速度,GB/s
7.5
12.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2587
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
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