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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
74
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
23
读取速度,GB/s
4,178.4
16.7
写入速度,GB/s
2,201.1
11.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2661
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
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