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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
63
左右 -125% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
28
读取速度,GB/s
8.1
18.1
写入速度,GB/s
7.5
13.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3534
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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