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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
50
63
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
50
读取速度,GB/s
8.1
13.5
写入速度,GB/s
7.5
8.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2424
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
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Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
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