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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
63
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
50
Velocità di lettura, GB/s
8.1
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
2424
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
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