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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
差异
规格
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
63
左右 -215% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
20
读取速度,GB/s
8.1
18.5
写入速度,GB/s
7.5
14.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2965
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
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SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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