RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
63
Около -215% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
20
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2965
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905295-037.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link