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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology C 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology C 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 -103% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
31
读取速度,GB/s
8.1
13.2
写入速度,GB/s
7.5
6.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
1983
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM的比较
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology C 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
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