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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
差异
规格
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
63
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
35
读取速度,GB/s
8.1
15.4
写入速度,GB/s
7.5
12.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3038
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
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